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핵심 Keyword : Lithography, Etching, Ion implantation, diffusion, depositing thin films, Metal interconnection, testing, assembly, Qualification 1. 서론 평면 기술(Planar Technology) (a) 실리콘 산화 , (b) 선택적 산화물 제거, (c) 도펀트 원자 주입, (d) 실리콘 내부로 도펀트 원자 확산 웨이퍼 기판 위에 단계적으로 층층이 회로를 만드는 방법이다. 장점 : 가각의 제조 단계가 전체 실리콘 웨이퍼에 적용. 따라서 복잡한 IC 만들기 위해서 높은 정밀도로 많은 소자들을 만들어 서로 연결하는것이 가능하며 많은 IC칩들을 웨이퍼 위에 같은 시간에 제조할 수 있다. 소자와 금..